Infineon Technologies - IPD50R380CEBTMA1

KEY Part #: K6400856

[3253шт сток]


    номер части:
    IPD50R380CEBTMA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IPD50R380CEBTMA1 electronic components. IPD50R380CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R380CEBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD50R380CEBTMA1 Атрибуты продукта

    номер части : IPD50R380CEBTMA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
    Серии : CoolMOS™
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9.9A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 13V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 13V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 260µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 24.8nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 584pF @ 100V
    Функция FET : Super Junction
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 73W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IXTY1R4N60P TRL

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • IPB04N03LAT

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • SPB02N60S5ATMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.