BAS16WH6327XTSA1 Цены (доллары США) [3792433шт сток]
- 1 pcs$0.01320
- 3,000 pcs$0.01313
- номер части:
- BAS16WH6327XTSA1
- производитель:
- Infineon Technologies
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов and Тиристоры - СКВ - Модули ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Infineon Technologies BAS16WH6327XTSA1 electronic components. BAS16WH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16WH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16WH6327XTSA1 Атрибуты продукта
номер части :
BAS16WH6327XTSA1
производитель :
Infineon Technologies
Описание :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
Серии :
-
Состояние детали :
Last Time Buy
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
80V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
250mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.25V @ 150mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
1µA @ 75V
Емкость @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SC-70, SOT-323
Комплект поставки устройства :
PG-SOT323-3
Рабочая температура - соединение :
150°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Горячие части
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18