Infineon Technologies - IRFI3205PBF

KEY Part #: K6403007

IRFI3205PBF Цены (доллары США) [31173шт сток]

  • 1 pcs$0.98672
  • 10 pcs$0.89223
  • 100 pcs$0.71713
  • 500 pcs$0.55775
  • 1,000 pcs$0.46214

номер части:
IRFI3205PBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы специального назначения and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFI3205PBF electronic components. IRFI3205PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI3205PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI3205PBF Атрибуты продукта

номер части : IRFI3205PBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 64A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 63W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB Full-Pak
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в