Vishay Siliconix - SIHB28N60EF-GE3

KEY Part #: K6416301

SIHB28N60EF-GE3 Цены (доллары США) [13190шт сток]

  • 1 pcs$3.12456
  • 1,000 pcs$1.51345

номер части:
SIHB28N60EF-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB28N60EF-GE3 electronic components. SIHB28N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB28N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB28N60EF-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHB28N60EF-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 28A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 123 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2714pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в