Infineon Technologies - FS35R12U1T4BPSA1

KEY Part #: K6532684

[1084шт сток]


    номер части:
    FS35R12U1T4BPSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOD IGBT LOW PWR SMART1-1.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - мостовые выпрямители and Тиристоры - ТРИАКС ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies FS35R12U1T4BPSA1 electronic components. FS35R12U1T4BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS35R12U1T4BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS35R12U1T4BPSA1 Атрибуты продукта

    номер части : FS35R12U1T4BPSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOD IGBT LOW PWR SMART1-1
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : Trench Field Stop
    конфигурация : Full Bridge
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 70A
    Мощность - Макс : 250W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 35A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 2nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : Yes
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : Module
    Комплект поставки устройства : Module

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • CPV363M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • A2C25S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

    • A2C35S12M3-F

      STMicroelectronics

      IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.