Infineon Technologies - IRF7473PBF

KEY Part #: K6411516

IRF7473PBF Цены (доллары США) [13764шт сток]

  • 95 pcs$0.55462

номер части:
IRF7473PBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF7473PBF electronic components. IRF7473PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7473PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7473PBF Атрибуты продукта

номер части : IRF7473PBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3180pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в