IXYS - IXFN106N20

KEY Part #: K6397949

IXFN106N20 Цены (доллары США) [3710шт сток]

  • 1 pcs$12.25892
  • 10 pcs$11.33973
  • 25 pcs$10.42017
  • 100 pcs$9.68455
  • 250 pcs$8.88772
  • 500 pcs$8.45865

номер части:
IXFN106N20
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN106N20 electronic components. IXFN106N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN106N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN106N20 Атрибуты продукта

номер части : IXFN106N20
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 106A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 380nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 9000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 521W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK35A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS.

  • TK5A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS.