Diodes Incorporated - UF1002-T

KEY Part #: K6454508

UF1002-T Цены (доллары США) [1087204шт сток]

  • 1 pcs$0.03419
  • 5,000 pcs$0.03402
  • 10,000 pcs$0.03102
  • 25,000 pcs$0.02902
  • 50,000 pcs$0.02602

номер части:
UF1002-T
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO41. Rectifiers 1.0A 100V
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated UF1002-T electronic components. UF1002-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF1002-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF1002-T Атрибуты продукта

номер части : UF1002-T
производитель : Diodes Incorporated
Описание : DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-41
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SBRD10200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A DPAK.

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM11-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated