Infineon Technologies - FS450R12OE4PBOSA1

KEY Part #: K6532704

FS450R12OE4PBOSA1 Цены (доллары США) [176шт сток]

  • 1 pcs$262.09028

номер части:
FS450R12OE4PBOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOD IGBT MED PWR ECONOPP-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FS450R12OE4PBOSA1 electronic components. FS450R12OE4PBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS450R12OE4PBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS450R12OE4PBOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FS450R12OE4PBOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOD IGBT MED PWR ECONOPP-2
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 900A
Мощность - Макс : 20mW
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 450A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 3mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 1.55nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.