IXYS - IXFH9N80Q

KEY Part #: K6416098

IXFH9N80Q Цены (доллары США) [12099шт сток]

  • 1 pcs$3.76527
  • 30 pcs$3.74654

номер части:
IXFH9N80Q
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH9N80Q electronic components. IXFH9N80Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH9N80Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH9N80Q Атрибуты продукта

номер части : IXFH9N80Q
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 180W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в