Microsemi Corporation - APTGT200TL60G

KEY Part #: K6532502

APTGT200TL60G Цены (доллары США) [525шт сток]

  • 1 pcs$88.29775
  • 10 pcs$84.03476
  • 25 pcs$80.98990

номер части:
APTGT200TL60G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT200TL60G electronic components. APTGT200TL60G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200TL60G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200TL60G Атрибуты продукта

номер части : APTGT200TL60G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Level Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 300A
Мощность - Макс : 652W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 350µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 12.2nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP6
Комплект поставки устройства : SP6

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.