Vishay Siliconix - SIHG21N65EF-GE3

KEY Part #: K6416544

SIHG21N65EF-GE3 Цены (доллары США) [15255шт сток]

  • 1 pcs$2.61776
  • 10 pcs$2.33924
  • 100 pcs$1.91801
  • 500 pcs$1.55311
  • 1,000 pcs$1.30985

номер части:
SIHG21N65EF-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG21N65EF-GE3 electronic components. SIHG21N65EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG21N65EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG21N65EF-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG21N65EF-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2322pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 208W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • IRLR8743TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK.

  • TK35A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO-220.

  • IRFI4321PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • TK31A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS.