Infineon Technologies - IPZ60R037P7XKSA1

KEY Part #: K6401418

IPZ60R037P7XKSA1 Цены (доллары США) [3057шт сток]

  • 1 pcs$5.69384
  • 10 pcs$5.12622
  • 100 pcs$4.21472
  • 500 pcs$3.53125

номер части:
IPZ60R037P7XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPZ60R037P7XKSA1 electronic components. IPZ60R037P7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZ60R037P7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ60R037P7XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPZ60R037P7XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Серии : CoolMOS™ P7
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 76A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1.48mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 121nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5243pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 255W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO247-4
Пакет / Дело : TO-247-4

Вы также можете быть заинтересованы в