Vishay Siliconix - SQM120N06-06_GE3

KEY Part #: K6418146

SQM120N06-06_GE3 Цены (доллары США) [53134шт сток]

  • 1 pcs$0.73588

номер части:
SQM120N06-06_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQM120N06-06_GE3 electronic components. SQM120N06-06_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM120N06-06_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120N06-06_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQM120N06-06_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6495pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 230W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D²Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в