IXYS - IXTR170P10P

KEY Part #: K6397831

IXTR170P10P Цены (доллары США) [5496шт сток]

  • 1 pcs$9.06215
  • 10 pcs$8.23701
  • 100 pcs$6.65995

номер части:
IXTR170P10P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTR170P10P electronic components. IXTR170P10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTR170P10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTR170P10P Атрибуты продукта

номер части : IXTR170P10P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
Серии : PolarP™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 108A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 12600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 312W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ISOPLUS247™
Пакет / Дело : ISOPLUS247™

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

  • TK32A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 32A TO-220.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.