Infineon Technologies - IRFP260MPBF

KEY Part #: K6401238

IRFP260MPBF Цены (доллары США) [28083шт сток]

  • 1 pcs$1.33532
  • 10 pcs$1.20531
  • 100 pcs$0.91890
  • 500 pcs$0.71470
  • 1,000 pcs$0.59218

номер части:
IRFP260MPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFP260MPBF electronic components. IRFP260MPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP260MPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP260MPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFP260MPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 234nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4057pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в