Vishay Siliconix - IRFR9014TRPBF

KEY Part #: K6402063

IRFR9014TRPBF Цены (доллары США) [240792шт сток]

  • 1 pcs$0.15361
  • 2,000 pcs$0.14320

номер части:
IRFR9014TRPBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR9014TRPBF electronic components. IRFR9014TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR9014TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR9014TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR9014TRPBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 270pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.