MMBD6050-E3-18 Цены (доллары США) [3667506шт сток]
- 1 pcs$0.01064
- 10,000 pcs$0.01059
- номер части:
- MMBD6050-E3-18
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MMBD6050-E3-18 electronic components. MMBD6050-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBD6050-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMBD6050-E3-18 Атрибуты продукта
номер части :
MMBD6050-E3-18
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
70V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 100mA
скорость :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) :
4ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100nA @ 50V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства :
SOT-23
Рабочая температура - соединение :
150°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Горячие части
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18