Infineon Technologies - FD800R45KL3KB5NPSA1

KEY Part #: K6532670

FD800R45KL3KB5NPSA1 Цены (доллары США) [24шт сток]

  • 1 pcs$1425.60099

номер части:
FD800R45KL3KB5NPSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MODULE IGBT IHV190-4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FD800R45KL3KB5NPSA1 electronic components. FD800R45KL3KB5NPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD800R45KL3KB5NPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD800R45KL3KB5NPSA1 Атрибуты продукта

номер части : FD800R45KL3KB5NPSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MODULE IGBT IHV190-4
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Single Chopper
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 4500V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 800A
Мощность - Макс : 9000W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.85V @ 15V, 800A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 185nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -50°C ~ 125°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.