STMicroelectronics - STD5NM60T4

KEY Part #: K6403508

STD5NM60T4 Цены (доллары США) [92206шт сток]

  • 1 pcs$0.42618
  • 2,500 pcs$0.42406

номер части:
STD5NM60T4
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STD5NM60T4 electronic components. STD5NM60T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD5NM60T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD5NM60T4 Атрибуты продукта

номер части : STD5NM60T4
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Серии : MDmesh™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 400pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 96W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в