Vishay Siliconix - SUD50P04-09L-E3

KEY Part #: K6397641

SUD50P04-09L-E3 Цены (доллары США) [73229шт сток]

  • 1 pcs$0.53663
  • 2,000 pcs$0.53396

номер части:
SUD50P04-09L-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SUD50P04-09L-E3 electronic components. SUD50P04-09L-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD50P04-09L-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUD50P04-09L-E3 Атрибуты продукта

номер части : SUD50P04-09L-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.4 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252, (D-Pak)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.