Infineon Technologies - IPZ65R095C7XKSA1

KEY Part #: K6416757

IPZ65R095C7XKSA1 Цены (доллары США) [18330шт сток]

  • 1 pcs$2.50942
  • 240 pcs$2.49693

номер части:
IPZ65R095C7XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V TO247-4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPZ65R095C7XKSA1 electronic components. IPZ65R095C7XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPZ65R095C7XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPZ65R095C7XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPZ65R095C7XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 650V TO247-4
Серии : CoolMOS™ C7
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 24A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 590µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2140pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 128W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO247-4
Пакет / Дело : TO-247-4

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.