Infineon Technologies - IPB017N06N3GATMA1

KEY Part #: K6417620

IPB017N06N3GATMA1 Цены (доллары США) [36161шт сток]

  • 1 pcs$1.08126

номер части:
IPB017N06N3GATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB017N06N3GATMA1 electronic components. IPB017N06N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB017N06N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB017N06N3GATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB017N06N3GATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 196µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 275nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 23000pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-7
Пакет / Дело : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS250P

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3.

  • IRFR2405TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 56A DPAK.

  • IRFR9024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

  • FDD13AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • SPA15N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP.

  • SPA21N50C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP.