IXYS - IXFN210N30X3

KEY Part #: K6397894

IXFN210N30X3 Цены (доллары США) [2713шт сток]

  • 1 pcs$15.96532

номер части:
IXFN210N30X3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
FET N-CHANNEL.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN210N30X3 electronic components. IXFN210N30X3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN210N30X3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN210N30X3 Атрибуты продукта

номер части : IXFN210N30X3
производитель : IXYS
Описание : FET N-CHANNEL
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 210A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 375nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 24200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 695W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.