номер части :
TK100L60W,VQ
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
Состояние детали :
Active
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
100A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
360nC @ 10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
15000pF @ 30V
Функция FET :
Super Junction
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
797W (Tc)
Рабочая Температура :
150°C (TJ)
Тип монтажа :
Through Hole
Комплект поставки устройства :
TO-3P(L)