Infineon Technologies - IRF7862TRPBF

KEY Part #: K6420169

IRF7862TRPBF Цены (доллары США) [166333шт сток]

  • 1 pcs$0.22237
  • 4,000 pcs$0.19003

номер части:
IRF7862TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF7862TRPBF electronic components. IRF7862TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7862TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7862TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF7862TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 45nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4090pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SO
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в