ON Semiconductor - FDC645N

KEY Part #: K6394026

FDC645N Цены (доллары США) [253170шт сток]

  • 1 pcs$0.14683
  • 3,000 pcs$0.14610

номер части:
FDC645N
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDC645N electronic components. FDC645N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC645N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC645N Атрибуты продукта

номер части : FDC645N
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 5.5A SSOT-6
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1460pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.6W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SuperSOT™-6
Пакет / Дело : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы также можете быть заинтересованы в