Infineon Technologies - IPAW70R600CEXKSA1

KEY Part #: K6419249

IPAW70R600CEXKSA1 Цены (доллары США) [99466шт сток]

  • 1 pcs$0.44967
  • 450 pcs$0.44743

номер части:
IPAW70R600CEXKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPAW70R600CEXKSA1 electronic components. IPAW70R600CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAW70R600CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAW70R600CEXKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPAW70R600CEXKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-3
Серии : CoolMOS™ CE
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 700V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 474pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 86W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3-31 Full Pack
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack