IXYS - IXFB300N10P

KEY Part #: K6395457

IXFB300N10P Цены (доллары США) [4649шт сток]

  • 1 pcs$10.76859
  • 25 pcs$10.71502

номер части:
IXFB300N10P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFB300N10P electronic components. IXFB300N10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB300N10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB300N10P Атрибуты продукта

номер части : IXFB300N10P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Серии : HiPerFET™, PolarP2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 300A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 279nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 23000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1500W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS264™
Пакет / Дело : TO-264-3, TO-264AA

Вы также можете быть заинтересованы в