Описание :
GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE
Состояние детали :
Active
Технология :
GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
31A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 9mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
10nC @ 5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
1140pF @ 75V
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
Die