Diodes Incorporated - DMT6009LFG-13

KEY Part #: K6394873

DMT6009LFG-13 Цены (доллары США) [179158шт сток]

  • 1 pcs$0.20645
  • 3,000 pcs$0.18272

номер части:
DMT6009LFG-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LFG-13 electronic components. DMT6009LFG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LFG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6009LFG-13 Атрибуты продукта

номер части : DMT6009LFG-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Ta), 34A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1925pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI3333-8
Пакет / Дело : 8-PowerWDFN