Infineon Technologies - SPP100N04S2L-03

KEY Part #: K6409442

[281шт сток]


    номер части:
    SPP100N04S2L-03
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 40V 100A TO-220.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies SPP100N04S2L-03 electronic components. SPP100N04S2L-03 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPP100N04S2L-03, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPP100N04S2L-03 Атрибуты продукта

    номер части : SPP100N04S2L-03
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
    Серии : OptiMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 230nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8000pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : PG-TO220-3-1
    Пакет / Дело : TO-220-3

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • FQN1N50CBU

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92.

    • FDD6N50TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • FCD620N60ZF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

    • RFD3055LESM9A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • SPA03N60C3XKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220.

    • SPA07N65C3XKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220.