Taiwan Semiconductor Corporation - TSM900N06CH X0G

KEY Part #: K6416813

TSM900N06CH X0G Цены (доллары США) [179848шт сток]

  • 1 pcs$0.20566

номер части:
TSM900N06CH X0G
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH X0G electronic components. TSM900N06CH X0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM900N06CH X0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM900N06CH X0G Атрибуты продукта

номер части : TSM900N06CH X0G
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 500pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 25W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-251 (IPAK)
Пакет / Дело : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • FQD3N60CTM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.