Microsemi Corporation - APTGL180A1202G

KEY Part #: K6532500

APTGL180A1202G Цены (доллары США) [1006шт сток]

  • 1 pcs$46.14016
  • 10 pcs$40.30525

номер части:
APTGL180A1202G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGL180A1202G electronic components. APTGL180A1202G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGL180A1202G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGL180A1202G Атрибуты продукта

номер части : APTGL180A1202G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 220A
Мощность - Макс : 750W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 300µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP2
Комплект поставки устройства : SP2

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.