Infineon Technologies - IRFR120ZPBF

KEY Part #: K6411950

IRFR120ZPBF Цены (доллары США) [13613шт сток]

  • 1 pcs$0.43900
  • 10 pcs$0.38549
  • 100 pcs$0.28120
  • 500 pcs$0.20830
  • 1,000 pcs$0.16664

номер части:
IRFR120ZPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы специального назначения, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFR120ZPBF electronic components. IRFR120ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR120ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR120ZPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR120ZPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 310pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 35W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

  • IRFR3710ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • IRFR1010ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.