IXYS - IXFA4N100Q

KEY Part #: K6398390

IXFA4N100Q Цены (доллары США) [13514шт сток]

  • 1 pcs$3.35373
  • 10 pcs$2.99368
  • 100 pcs$2.45465
  • 500 pcs$1.98765
  • 1,000 pcs$1.67633

номер части:
IXFA4N100Q
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFA4N100Q electronic components. IXFA4N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFA4N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA4N100Q Атрибуты продукта

номер части : IXFA4N100Q
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1050pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 150W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (IXFA)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • TK290A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS.

  • SPA04N80C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP.