Microsemi Corporation - APT45GP120J

KEY Part #: K6532673

APT45GP120J Цены (доллары США) [2629шт сток]

  • 1 pcs$16.55589
  • 13 pcs$16.47352

номер части:
APT45GP120J
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 1200V 75A 329W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT45GP120J electronic components. APT45GP120J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT45GP120J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT45GP120J Атрибуты продукта

номер части : APT45GP120J
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Серии : POWER MOS 7®
Состояние детали : Active
Тип IGBT : PT
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 75A
Мощность - Макс : 329W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 45A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.94nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : ISOTOP
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.