Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS370TE85LF

KEY Part #: K6453119

[2199шт сток]


    номер части:
    1SS370TE85LF
    производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Подробное описание:
    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS370TE85LF electronic components. 1SS370TE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS370TE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1SS370TE85LF Атрибуты продукта

    номер части : 1SS370TE85LF
    производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
    Описание : DIODE GEN PURP 200V 100MA SC70
    Серии : -
    Состояние детали : Active
    Диодный Тип : Standard
    Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
    Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 100mA
    Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 100mA
    скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Обратное время восстановления (trr) : 60ns
    Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 200V
    Емкость @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
    Тип монтажа : Surface Mount
    Пакет / Дело : SC-70, SOT-323
    Комплект поставки устройства : SC-70
    Рабочая температура - соединение : 125°C (Max)

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • C3D10065E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

    • VS-50WQ10FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

    • VS-HFA04SD60STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

    • VS-10WQ045FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

    • VS-8EWF12S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die

    • RGL34J-E3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM