Vishay Siliconix - SIHG28N60EF-GE3

KEY Part #: K6416115

SIHG28N60EF-GE3 Цены (доллары США) [12354шт сток]

  • 1 pcs$3.23033
  • 10 pcs$2.88438
  • 100 pcs$2.36519
  • 500 pcs$1.91523
  • 1,000 pcs$1.61525

номер части:
SIHG28N60EF-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG28N60EF-GE3 electronic components. SIHG28N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG28N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG28N60EF-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG28N60EF-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 28A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 123 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2714pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.

  • IRFR5305TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK.

  • PSMN4R5-40PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

  • SI3139K-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNEL MOSFET SOT-723 PACKAG.