Renesas Electronics America - RJK60S7DPK-M0#T0

KEY Part #: K6397779

RJK60S7DPK-M0#T0 Цены (доллары США) [13359шт сток]

  • 1 pcs$5.09009
  • 10 pcs$4.62735
  • 25 pcs$4.28025

номер части:
RJK60S7DPK-M0#T0
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America RJK60S7DPK-M0#T0 electronic components. RJK60S7DPK-M0#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK60S7DPK-M0#T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK60S7DPK-M0#T0 Атрибуты продукта

номер части : RJK60S7DPK-M0#T0
производитель : Renesas Electronics America
Описание : MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
Серии : -
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Макс) : +30V, -20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2300pF @ 25V
Функция FET : Super Junction
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 227.2W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3PSG
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.