Diodes Incorporated - DMN30H4D0L-7

KEY Part #: K6405211

DMN30H4D0L-7 Цены (доллары США) [417803шт сток]

  • 1 pcs$0.08853
  • 3,000 pcs$0.07923

номер части:
DMN30H4D0L-7
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN30H4D0L-7 electronic components. DMN30H4D0L-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN30H4D0L-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN30H4D0L-7 Атрибуты продукта

номер части : DMN30H4D0L-7
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 250mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 187.3pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 310mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • SQ3425EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.

  • IRFR48ZTRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • SI1467DH-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6.

  • FDG312P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • IRLMS6702TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP.

  • SSM3J352F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH.