IXYS - IXFN140N25T

KEY Part #: K6394828

IXFN140N25T Цены (доллары США) [4159шт сток]

  • 1 pcs$11.51260
  • 20 pcs$11.45532

номер части:
IXFN140N25T
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN140N25T electronic components. IXFN140N25T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN140N25T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN140N25T Атрибуты продукта

номер части : IXFN140N25T
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
Серии : GigaMOS™ HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 19000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 690W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC