IXYS - IXFP22N65X2M

KEY Part #: K6394798

IXFP22N65X2M Цены (доллары США) [33790шт сток]

  • 1 pcs$1.21968

номер части:
IXFP22N65X2M
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFP22N65X2M electronic components. IXFP22N65X2M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP22N65X2M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP22N65X2M Атрибуты продукта

номер части : IXFP22N65X2M
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 22A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2190pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 37W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220 Isolated Tab
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab