Microchip Technology - DN3145N8-G

KEY Part #: K6392749

DN3145N8-G Цены (доллары США) [178033шт сток]

  • 1 pcs$0.21285
  • 2,000 pcs$0.21179

номер части:
DN3145N8-G
производитель:
Microchip Technology
Подробное описание:
MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microchip Technology DN3145N8-G electronic components. DN3145N8-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN3145N8-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN3145N8-G Атрибуты продукта

номер части : DN3145N8-G
производитель : Microchip Technology
Описание : MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 450V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100mA (Tj)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 120pF @ 25V
Функция FET : Depletion Mode
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.3W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-243AA (SOT-89)
Пакет / Дело : TO-243AA
Вы также можете быть заинтересованы в