Infineon Technologies - IPD35N10S3L26ATMA1

KEY Part #: K6403230

IPD35N10S3L26ATMA1 Цены (доллары США) [198389шт сток]

  • 1 pcs$0.18644
  • 2,500 pcs$0.17103

номер части:
IPD35N10S3L26ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA1 electronic components. IPD35N10S3L26ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD35N10S3L26ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD35N10S3L26ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD35N10S3L26ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2700pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 71W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3-11
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в