Vishay Siliconix - SUP90140E-GE3

KEY Part #: K6397916

SUP90140E-GE3 Цены (доллары США) [25276шт сток]

  • 1 pcs$1.63059
  • 10 pcs$1.45431
  • 100 pcs$1.19253
  • 500 pcs$0.91614
  • 1,000 pcs$0.77265

номер части:
SUP90140E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SUP90140E-GE3 electronic components. SUP90140E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP90140E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUP90140E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SUP90140E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Серии : ThunderFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4132pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 375W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.