Vishay Siliconix - SIHG33N60EF-GE3

KEY Part #: K6416786

SIHG33N60EF-GE3 Цены (доллары США) [19188шт сток]

  • 1 pcs$3.27440
  • 10 pcs$2.94520
  • 100 pcs$2.42143
  • 500 pcs$2.02876
  • 1,000 pcs$1.76699

номер части:
SIHG33N60EF-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG33N60EF-GE3 electronic components. SIHG33N60EF-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG33N60EF-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG33N60EF-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG33N60EF-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 33A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3454pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 278W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN4206A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • ZVN2110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IXTY01N100

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK.