Vishay Siliconix - SIHD12N50E-GE3

KEY Part #: K6410616

SIHD12N50E-GE3 Цены (доллары США) [47232шт сток]

  • 1 pcs$0.82784
  • 10 pcs$0.74673
  • 100 pcs$0.60018
  • 500 pcs$0.46681
  • 1,000 pcs$0.38678

номер части:
SIHD12N50E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 500V DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD12N50E-GE3 electronic components. SIHD12N50E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD12N50E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD12N50E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHD12N50E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 550V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 886pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 114W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TA)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-PAK (TO-252AA)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN3310A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • HUFA76629D3S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 20A DPAK.

  • HUFA75329D3S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 55V 20A DPAK.

  • HUFA76429D3S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK.

  • FQD18N20V2TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 15A DPAK.

  • HUF75829D3ST

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.