ON Semiconductor - FDP22N50N

KEY Part #: K6402981

FDP22N50N Цены (доллары США) [21206шт сток]

  • 1 pcs$1.36617
  • 10 pcs$1.23396
  • 100 pcs$0.94072
  • 500 pcs$0.73168
  • 1,000 pcs$0.60625

номер части:
FDP22N50N
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 22A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDP22N50N electronic components. FDP22N50N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP22N50N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP22N50N Атрибуты продукта

номер части : FDP22N50N
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
Серии : UniFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 22A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3200pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 312.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в