Vishay Siliconix - SI2314EDS-T1-GE3

KEY Part #: K6397427

SI2314EDS-T1-GE3 Цены (доллары США) [262736шт сток]

  • 1 pcs$0.14078
  • 3,000 pcs$0.13247

номер части:
SI2314EDS-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы специального назначения, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-GE3 electronic components. SI2314EDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2314EDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2314EDS-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI2314EDS-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.77A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 750mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3 (TO-236)
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.